Micron Technology Inc. MT41J256M4HX-15E: D TR
MT41J256M4HX-15E: D Tr
- Проиджодел: Micron Technology Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: Micron Technology Inc. MT41J256M4HX-15E: D TR
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 5962
- Sku: MT41J256M4HX-15E: D Tr
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Micron Technology Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Ддрам |
| Тела | SDRAM - DDR3 |
| Raзmerpmayti | 1 Гит |
| Органихая | 256 м х 4 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 667 мг |
| Верный | - |
| Napraheneee - posta | 1425 ЕГО ~ 1575 a. |
| Rraboч -yemperatura | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 78-TFBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 78-FBGA (9x11.5) |
| Baзowый nomer prodikta | MT41J256M4 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.32.0036 |
| Станодар | 2000 |
SDRAM - DDR3 СПАМЯТА IC 1GBIT Параллель 667 мг.
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p