Infineon Technologies IPG20N06S415ATMA2 — Infineon Technologies FET, MOSFET — спецификация, поставщик микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Инфинеон Технологии IPG20N06S415ATMA2

ИПГ20Н06С415АТМА2

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Инфинеон Технологии IPG20N06S415ATMA2
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4165
  • Артикул: ИПГ20Н06С415АТМА2
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,3800

Дополнительная цена:$1,3800

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20А
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 15,5 мОм при 17 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 20 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 29 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2260пФ при 25В
Мощность - Макс. 50 Вт
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Поставщик пакета оборудования ПГ-ТДСОН-8-4
Базовый номер продукта ИПГ20Н
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 5000
Массив мосфетов 60 В 20 А 50 Вт для поверхностного монтажа PG-TDSON-8-4