Vishay Siliconix SIHP28N65E-GE3 - Vishay Siliconix FETs, MOSFETs - BOM, Chip Distributor, Quick Quotation 365day Warranty
product_banner

Vishay Силиконикс SIHP28N65E-GE3

SIHP28N65E-GE3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Силиконикс SIHP28N65E-GE3
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2476
  • Артикул: SIHP28N65E-GE3
  • Цены:мы создали исключительно гибкую и конкурентоспособную ценовую политику.

Количество:

Цена за единицу: $2,8195

Дополнительная цена:$2,8195

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полевого транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 29А (Тц)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10 В
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 112 мОм при 14 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 140 нК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3405 пФ при 100 В
Особенность полевого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 250 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет устройств поставщика ТО-220АБ
Пакет/кейс ТО-220-3
Базовый номер продукта SIHP28
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без ограничений)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1000
N-канал 650 В 29 А (Tc) 250 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-220AB