Парметр |
Млн | Stmicroelectronics |
В припании | - |
Упако | Трубка |
Степень Продукта | Управо |
Тела | LDMOS |
ЧastoTA | 870 мг |
Прирост | 17.3db |
В конце | 13,6 В. |
Tykuщiй rerйting (amp) | 7A |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 300 май |
Питани - В.О. | 10 st |
Napraheneee - оинка | 40 |
PakeT / KORPUES | PowerSo-10 oTkrыto onhyжne |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | PowerSo-10rf (praNehOй cvIneц) |
Baзowый nomer prodikta | PD85025 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 3 (168. |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодадж | 50 |
RF MOSFET 13,6 V 300 MMA 870 MMGц 17,3DB 10W POWERSO-10RF (PRANOй CVINEц)