Yangjie Technology MG50P12E2 - Yangjie Technology IGBT - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Технология Янцзе MG50P12E2

Транзисторы - IGBT - Модули E2

  • Производитель: Технология Янцзе
  • Номер производителя: Технология Янцзе MG50P12E2
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 600
  • Артикул: МГ50П12Е2
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $84.0400

Дополнительная цена:$84.0400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Технология Янцзе
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ -
Конфигурация Одинокий
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 50 А
Мощность - Макс. 227 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,3 В @ 15 В, 50 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 1 мА
Входная емкость (Cies) при Vce 2,6 нФ при 25 В
Вход Стандартный
НТЦ-термистор Да
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования -
Статус RoHS Соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
Другие имена 4617-МГ50П12Е2
Стандартный пакет 6
Один модуль IGBT, 1200 В, 50 А, 227 Вт, монтаж на шасси