Yangjie Technology MG50P12E2
Траншисторы - IGBTS - Модули E2
- Проиджоделх: Yangjie Technology
- NoMerPOIзVODITELEL: Yangjie Technology MG50P12E2
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 600
- Sku: MG50P12E2
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Yangjie Technology |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | - |
| Коунфигура | Одинокий |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 1200 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 50 а |
| Синла - МАКС | 227 Вт |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 2,3 В @ 15 В, 50a |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 1 май |
| Odnana emcostath (cies) @ vce | 2,6 NF @ 25 V |
| Wshod | Станода |
| NTC Thermistor | В дар |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | ШASCI |
| PakeT / KORPUES | Модул |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | - |
| Статус Ройс | ROHS COMPRINT |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Дрогин ИНЕНА | 4617-MG50P12E2 |
| Станодар | 6 |
Игбтмодуль Одинон в 1200 году.
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F