Парметр |
Vgs (th) (max) @ id | 2,5 -50 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 28,7 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 1500 pf @ 15 v |
FET FUONKSHINA | Станода |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 3W (TA) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-Sop |
PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 4000 |
Млн | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | П-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 30 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 10А (таблица) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В. |
Rds on (max) @ id, vgs | 23mohm @ 10a, 10 В |
P-Kanal 30- 10A (TA) 3W (TA) POWRхNOSTNOE