Парметр |
Млн | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Управо |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 40 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 23a (ta), 70a (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
Rds on (max) @ id, vgs | 3mohm @ 20a, 10v |
Vgs (th) (max) @ id | 2,2 pri 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 60 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 4300 pf @ 20 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 2,7 yt (ta), 150 yt (tc) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 252 (DPAK) |
PakeT / KORPUES | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 |
Baзowый nomer prodikta | AOD24 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 1 |
N-kanal 40 v 23а (TA), 70A (TC) 2,7 т (TA), 150 vt (tc) poverхnoStnoe kreppleneen 252 (dpak)