Парметр |
Млн | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Управо |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 150 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 3A (TA), 19A (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
Rds on (max) @ id, vgs | 85mohm @ 10a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 2,8 В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 22 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 1165 PF @ 75 V |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 2,5 yt (ta), 83 yt (tc) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 252 (DPAK) |
PakeT / KORPUES | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 |
Baзowый nomer prodikta | AOD25 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 1 |
N-kanal 150-3а (TA), 19A (TC) 2,5-т (TA), 83 м.