NXP USA Inc. PDTC123EE,115 — NXP USA Inc. Биполярный (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
ОЛЧИПС ЭЛЕКТРОНИКС ЛИМИТЕД
ОЛЧИПС ЭЛЕКТРОНИКС ЛИМИТЕД
cart
Нажмите «Добавить корзину».

Добавьте кардиопродукты

product_banner

ПРОДУКТ

NXP USA Inc. PDTC123EE,115

PDTC123EE,115

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. PDTC123EE,115
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5012
  • Артикул: PDTC123EE,115
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора NPN — предварительный смещенный
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 В
Резистор — база (R1) 2,2 кОм
Резистор — база эмиттера (R2) 2,2 кОм
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 30 @ 20 мА, 5 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 150 мВ при 500 мкА, 10 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 1 мкА
Мощность - Макс. 150 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СК-75, СОТ-416
Поставщик пакета оборудования СК-75
Базовый номер продукта ПДТК123
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 3000
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN — с предварительным смещением, 50 В, 100 мА, 150 мВт, для поверхностного монтажа SC-75