Микрочиповая технология JAN2N930
2 января 930 года
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Микрочиповая технология JAN2N930
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 5631
- Артикул: 2 января 930 года
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | Военный, MIL-PRF-19500/253 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 30 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 45 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 1 В @ 500 мкА, 10 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 2нА |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 100 @ 10 мкА, 5 В |
| Мощность - Макс. | 300 мВт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -55°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-18 |
| Базовый номер продукта | 2Н930 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 45 В 30 мА 300 мВт сквозное отверстие ТО-18
