Технология микрочипа 2N5339U3 — биполярная технология микрочипа (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Микрочиповая технология 2N5339U3

2Н5339У3

  • Производитель: Микрочиповая технология
  • Номер производителя: Микрочиповая технология 2N5339U3
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 2161
  • Артикул: 2Н5339У3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $160.0123

Дополнительная цена:$160.0123

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Микрочиповая технология
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мкА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 100 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1,2 В при 500 мА, 5 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100 мкА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 60 @ 2А, 2В
Мощность - Макс. 1 Вт
Частота – переход -
Рабочая температура -65°С ~ 200°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-276АА
Поставщик пакета оборудования У-3 (ТО-276АА)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
Биполярный (BJT) транзистор NPN 100 В 100 мкА 1 Вт для поверхностного монтажа У-3 (ТО-276АА)