Технология микрочипа JAN2N930UB — биполярная технология микрочипа (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Микрочиповая технология JAN2N930UB

ЯН2Н930УБ

  • Производитель: Микрочиповая технология
  • Номер производителя: Микрочиповая технология JAN2N930UB
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 7984
  • Артикул: ЯН2Н930УБ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Микрочиповая технология
Ряд Военный, MIL-PRF-19500/253
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 30 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 45 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic -
Ток-отсечка коллектора (макс.) -
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce -
Частота – переход -
Рабочая температура 200°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 4-СМД, без свинца
Поставщик пакета оборудования УБ
Базовый номер продукта 2Н930
Статус RoHS не соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ХТСУС 0000.00.0000
Стандартный пакет 1
Биполярный (BJT) транзистор NPN 45 В 30 мА для поверхностного монтажа UB