Микрочиповая технология JAN2N1613L
ЯН2Н1613Л
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Микрочиповая технология JAN2N1613L
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация:-
- Запас: 1853 г.
- Артикул: ЯН2Н1613Л
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | Военный, MIL-PRF-19500/181 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 500 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 30 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 1,5 В при 15 мА, 150 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 10 мкА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 40 при 150 мА, 10 В |
| Мощность - Макс. | 800 мВт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-5 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 30 В 500 мА 800 мВт сквозное отверстие ТО-5
