| Параметры |
| Производитель | Центральная полупроводниковая корпорация |
| Ряд | - |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | 4 НПН (четверка) |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 500 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 40В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 1,6 В при 30 мА, 300 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 50нА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 100 при 150 мА, 10 В |
| Мощность - Макс. | 650мВт |
| Частота – переход | 200 МГц |
| Рабочая температура | -65°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | 14-ДИП (0,300 дюйма, 7,62 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-116 |
| Базовый номер продукта | MPQ2222 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0075 |
| Стандартный пакет | 25 |
Биполярная (BJT) транзисторная матрица 4 NPN (четверка) 40 В 500 мА 200 МГц 650 мВт Сквозное отверстие ТО-116