Микрочиповая технология 2N3867S
2N3867S
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Микрочиповая технология 2N3867S
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 8695
- Артикул: 2N3867S
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | ПНП |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 3 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 40 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 1,5 В @ 250 мА, 2,5 А |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100 мкА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 40 @ 1,5 А, 2 В |
| Мощность - Макс. | 1 Вт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-39 (ТО-205АД) |
| Базовый номер продукта | 2N3867 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор PNP 40 В 3 мА 1 Вт сквозное отверстие ТО-39 (ТО-205АД)