onsemi MUN5131T1G — onsemi Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми MUN5131T1G

MUN5131T1G

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми MUN5131T1G
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9217
  • Артикул: MUN5131T1G
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,2700

Дополнительная цена:$0,2700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип транзистора ПНП — предварительный смещенный
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 В
Резистор — база (R1) 2,2 кОм
Резистор — база эмиттера (R2) 2,2 кОм
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 8 @ 5 мА, 10 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 250 мВ при 5 мА, 10 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 500нА
Мощность - Макс. 202 МВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СК-70, СОТ-323
Поставщик пакета оборудования СК-70-3 (СОТ323)
Базовый номер продукта MUN5131
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 3000
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP — с предварительным смещением, 50 В, 100 мА, 202 мВт, для внешнего монтажа SC-70-3 (SOT323)