| Параметры |
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | Военный, MIL-PRF-19500/374 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 10 мкА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 80 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 2 В при 500 мА, 5 А |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 10 мкА |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 40 @ 1А, 2В |
| Мощность - Макс. | 2 Вт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Крепление шпильки |
| Пакет/ключи | ТО-111-4, Шпилька |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-111 |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | 2266-JANTXV2N3996 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 80 В 10 мкА 2 Вт Крепление на шпильке ТО-111