| Параметры |
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 50 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 15 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 400 мВ при 1 мА, 10 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 1 мкА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 20 @ 10 мА, 10 В |
| Мощность - Макс. | 200 мВт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-72 |
| Базовый номер продукта | 2Н918 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Другие имена | 2Н918МС |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 15 В 50 мА 200 мВт сквозное отверстие ТО-72