onsemi NSV40300MDR2G — onsemi Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми NSV40300MDR2G

НСВ40300МДР2Г

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми NSV40300MDR2G
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5785
  • Артикул: НСВ40300МДР2Г
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3793

Дополнительная цена:$0,3793

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип транзистора 2 ПНП (двойной)
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 40В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 170 мВ при 200 мА, 2 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 180 @ 1А, 2В
Мощность - Макс. 653 МВт
Частота – переход 100 МГц
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Поставщик пакета оборудования 8-СОИК
Базовый номер продукта НСВ40300
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Стандартный пакет 2500
Биполярная (BJT) транзисторная матрица 2 PNP (двойной) 40 В 3 А 100 МГц 653 мВт Для поверхностного монтажа 8-SOIC