| Параметры |
| Производитель | онсеми |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | 2 ПНП (двойной) |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 3А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 40В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 170 мВ при 200 мА, 2 А |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100нА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 180 @ 1А, 2В |
| Мощность - Макс. | 653 МВт |
| Частота – переход | 100 МГц |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 8-СОИК |
| Базовый номер продукта | НСВ40300 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0075 |
| Стандартный пакет | 2500 |
Биполярная (BJT) транзисторная матрица 2 PNP (двойной) 40 В 3 А 100 МГц 653 мВт Для поверхностного монтажа 8-SOIC