| Параметры |
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 2 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 300 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 750 мВ при 125 мА, 1 А |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 5мА |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 40 при 100 мА, 10 В |
| Мощность - Макс. | 2,5 Вт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-213АА, ТО-66-2 |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-66 (ТО-213АА) |
| Базовый номер продукта | 2Н3585 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | 2Н3585МС |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 300 В 2 А 2,5 Вт сквозное отверстие ТО-66 (ТО-213АА)