| Параметры |
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип БТИЗ | Траншейная полевая остановка |
| Конфигурация | Половина моста |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 1200 В |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 250 А |
| Мощность - Макс. | 750 Вт |
| Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2,4 В при 15 В, 150 А |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100 мкА |
| Входная емкость (Cies) при Vce | 8,8 нФ при 25 В |
| Вход | Стандартный |
| НТЦ-термистор | Да |
| Рабочая температура | -40°С ~ 175°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Крепление на шасси |
| Пакет/ключи | Модуль |
| Поставщик пакета оборудования | SP4 |
| Базовый номер продукта | АПТГЛК150 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
Модуль IGBT Trench Field Stop Полумост 1200 В 250 А 750 Вт Монтаж на шасси SP4