Технология микрочипа 2N6650
2Н6650
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Технология микрочипа 2N6650
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 4920
- Артикул: 2Н6650
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 10 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 80 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 3 В @ 100 мкА, 10 А |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 1 мА |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 1000 @ 5А, 3В |
| Мощность - Макс. | 5 Вт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 175°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-204АА, ТО-3 |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-204АА (ТО-3) |
| Базовый номер продукта | 2Н6650 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | PNP - Дарлингтон |
Биполярный (BJT) транзистор PNP — Дарлингтон 80 В 10 А 5 Вт сквозное отверстие ТО-204АА (ТО-3)
