NXP USA Inc. BFU725F,115 — NXP USA Inc. Биполярный (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. BFU725F,115

БФУ725Ф,115

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. BFU725F,115
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 3975
  • Артикул: БФУ725Ф,115
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора НПН
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 2,8 В
Частота – переход 70 ГГц
Коэффициент шума (дБ, тип@f) 0,42 дБ ~ 1,1 дБ при 1,5 ГГц ~ 12 ГГц
Прирост 10 дБ ~ 24 дБ
Мощность - Макс. 136мВт
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 300 при 10 мА, 2 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 40 мА
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СОТ-343Ф
Поставщик пакета оборудования 4-ДФП
Базовый номер продукта БФУ72
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Стандартный пакет 3000
РЧ-транзистор NPN 2,8 В 40 мА 70 ГГц 136 мВт для поверхностного монтажа 4-DFP