Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1943-O(Q) — Toshiba Semiconductor and Storage Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1943-O(Q)

2СА1943-О(К)

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1943-O(Q)
  • Упаковка: Поднос
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 10
  • Артикул: 2СА1943-О(К)
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $2,9800

Дополнительная цена:$2,9800

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд -
Упаковка Поднос
Статус продукта Активный
Тип транзистора ПНП
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 15 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 230 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 3 В при 800 мА, 8 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 5 мкА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 80 @ 1А, 5В
Мощность - Макс. 150 Вт
Частота – переход 30 МГц
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-3ПЛ
Поставщик пакета оборудования ТО-3П(Л)
Базовый номер продукта 2СА1943
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Непригодный
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0075
Стандартный пакет 100
Биполярный (BJT) транзистор PNP 230 В 15 А 30 МГц 150 Вт сквозное отверстие ТО-3П(L)