Технология микрочипа 2N6251 — биполярная технология микрочипа (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Микрочиповая технология 2N6251

2Н6251

  • Производитель: Микрочиповая технология
  • Номер производителя: Микрочиповая технология 2N6251
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3368
  • Артикул: 2Н6251
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Микрочиповая технология
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 10 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 350 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1,5 В @ 1,67 А, 10 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 1 мА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 6 @ 10А, 3В
Мощность - Макс. 6 Вт
Частота – переход -
Рабочая температура -65°С ~ 200°С
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-204АА, ТО-3
Поставщик пакета оборудования ТО-204АА (ТО-3)
Базовый номер продукта 2Н6251
Статус RoHS не соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
Биполярный (BJT) транзистор NPN 350 В 10 А 6 Вт сквозное отверстие ТО-204АА (ТО-3)