Технология Microchip JAN2N5660 — Биполярная технология Microchip Technology (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Микрочиповая технология JAN2N5660

ЯНВ2Н5660

  • Производитель: Микрочиповая технология
  • Номер производителя: Микрочиповая технология JAN2N5660
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 3590
  • Артикул: ЯНВ2Н5660
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Микрочиповая технология
Ряд Военный, MIL-PRF-19500/454
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 2 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 200 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 800 мВ при 400 мА, 2 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 200нА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 40 при 500 мА, 5 В
Мощность - Макс. 2 Вт
Частота – переход -
Рабочая температура -65°С ~ 200°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-213АА, ТО-66-2
Поставщик пакета оборудования ТО-66 (ТО-213АА)
Базовый номер продукта 2N5660
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
Биполярный (BJT) транзистор NPN 200 В 2 А 2 Вт сквозное отверстие ТО-66 (ТО-213АА)