Microsemi Corporation MRF5812G — Microsemi Corporation Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Корпорация Microsemi MRF5812G

MRF5812G

  • Производитель: Корпорация Микросеми
  • Номер производителя: Корпорация Microsemi MRF5812G
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8234
  • Артикул: MRF5812G
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Корпорация Микросеми
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора НПН
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 15 В
Частота – переход 5 ГГц
Коэффициент шума (дБ, тип@f) 2 дБ ~ 3 дБ при 500 МГц
Прирост 13 дБ ~ 15,5 дБ
Мощность - Макс. 1,25 Вт
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 50 при 50 мА, 5 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 200 мА
Рабочая температура -
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Поставщик пакета оборудования 8-СО
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0075
Стандартный пакет 2500
Радиочастотный транзистор NPN 15 В 200 мА 5 ГГц 1,25 Вт для поверхностного монтажа 8-СО