Микрочиповая технология 2N5115UB
2Н5115УБ
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Микрочиповая технология 2N5115UB
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 6443
- Артикул: 2Н5115УБ
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | Военный, MIL-PRF-19500 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | P-канал |
| Напряжение – проба (В(BR)GSS) | 30 В |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 В |
| Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 60 при мА 15 В |
| Напряжение – отсечка (VGS выключена) @ Id | 6 В @ 1 нА |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 25пФ при 15В |
| Сопротивление - RDS(Вкл.) | 100 Ом |
| Мощность - Макс. | 500 мВт |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 3-СМД, без свинца |
| Поставщик пакета оборудования | УБ |
| Базовый номер продукта | 2Н5115 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
JFET P-30 В 500 мВт для поверхностного монтажа UB
