| Параметры |
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Напряжение – проба (В(BR)GSS) | 30 В |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 В |
| Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 100 мА при 15 В |
| Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | 6 В @ 500 пА |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 18пФ при 10В |
| Сопротивление - RDS(Вкл.) | 40 Ом |
| Мощность - Макс. | 360 мВт |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-18 |
| Базовый номер продукта | 2N4860 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
JFET N-канальный, 30 В, 360 мВт, сквозное отверстие ТО-18