| Параметры |
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | Военный, MIL-PRF-19500/397 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | ПНП |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 200 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 300 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 1,2 В @ 3 мА, 30 мА |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 50 при 30 мА, 10 В |
| Мощность - Макс. | 1 Вт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 3-СМД, без свинца |
| Поставщик пакета оборудования | U4 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор PNP 300 В 200 мА 1 Вт Для поверхностного монтажа U4