Bourns Inc. BIDW50N65T
IGBT 650V 50ANSHENSHENSED 247-3L
- Проиджоделх: Bourns Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: Bourns Inc. BIDW50N65T
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya spehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 2
- Sku: BIDW50N65T
- Xenobraзavanie: Mы ofзdali yasklючotelno giebkuю и коэнкузенто.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Bourns Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | По -прежнему |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 650 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 100 а |
| Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) | 150 А. |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 2,2 -прри 15 В, 50a |
| Синла - МАКС | 416 Вт |
| Переклхейн | 3MJ (ON), 1,1MJ (OFF) |
| ТИПВ | Станода |
| ЗArAd -vvoROT | 123 NC |
| TD (ON/OFF) @ 25 ° C | 37NS/125NS |
| ИСЛОВЕЕ ИСПАН | 400 В, 50 атмосфера, 10, 15 |
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 37,5 млн |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | 247-3 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 247 |
| Baзowый nomer prodikta | BIDW50N |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | Neprigodnnый |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Дрогин ИНЕНА | 118-bidw50n65t |
| Станодадж | 30 |
Поле ygBT Траншевая остановка 650 В 100 A 416.
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F