| Параметры |
| Производитель | Центральная полупроводниковая корпорация |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип транзистора | 2 НПН, 2 ПНП |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 1А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 30 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 1,4 В при 30 мА, 300 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 30нА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 100 при 150 мА, 10 В |
| Мощность - Макс. | 1 Вт |
| Частота – переход | 200 МГц |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 16-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 16-СОИК |
| Базовый номер продукта | MMPQ6502 |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0075 |
| Другие имена | 1514-MMPQ6502BK |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярная (BJT) транзисторная матрица 2 NPN, 2 PNP 30 В 1 А 200 МГц 1 Вт Для поверхностного монтажа 16-SOIC