Diodes Incorporated ZTX755 — Diodes Incorporated Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорпорейтед ZTX755

ZTX755

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорпорейтед ZTX755
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9909
  • Артикул: ZTX755
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора ПНП
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 1 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 150 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 500 мВ при 200 мА, 1 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 50 при 500 мА, 5 В
Мощность - Макс. 1 Вт
Частота – переход 30 МГц
Рабочая температура -55°С ~ 200°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи Е-Линия-3
Поставщик пакета оборудования E-Line (совместим с ТО-92)
Базовый номер продукта ZTX755
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0075
Другие имена ZTX755-НДР
Стандартный пакет 4000
Биполярный (BJT) транзистор PNP 150 В, 1 А, 30 МГц, 1 Вт, сквозное отверстие E-Line (совместим с TO-92)