| Параметры |
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | Военный, MIL-PRF-19500/376 |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 50 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 60 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 300 мВ при 100 мкА, 1 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 2нА |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 225 при 10 мА, 5 В |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-18 (ТО-206АА) |
| Базовый номер продукта | 2Н2484 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ХТСУС | 0000.00.0000 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 60 В 50 мА сквозное отверстие ТО-18 (ТО-206АА)