Технология микрочипов JANSD2N2907A — биполярная технология микрочипов (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Микрочиповая технология JANSD2N2907A

ЯНСД2Н2907А

  • Производитель: Микрочиповая технология
  • Номер производителя: Микрочиповая технология JANSD2N2907A
  • Упаковка: Поднос
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1323
  • Артикул: ЯНСД2Н2907А
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Микрочиповая технология
Ряд Военный, MIL-PRF-19500/291
Упаковка Поднос
Статус продукта Активный
Тип транзистора ПНП
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 600 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 60 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1,6 В при 50 мА, 500 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 50нА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 при 150 мА, 10 В
Мощность - Макс. 500 мВт
Частота – переход -
Рабочая температура -65°С ~ 200°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка
Поставщик пакета оборудования ТО-18 (ТО-206АА)
Базовый номер продукта 2Н2907
Статус RoHS не соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 1
Биполярный (BJT) транзистор PNP 60 В 600 мА 500 мВт сквозное отверстие ТО-18 (ТО-206АА)