NXP USA Inc. PDTB113EK, 115
PDTB113EK, 115
- Проиджоделх: NXP USA Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: NXP USA Inc. PDTB113EK, 115
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 4183
- Sku: PDTB113EK, 115
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | NXP USA Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Управо |
| Это | Pnp - prervariotelno-cmepts |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 500 май |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 50 |
| Rerзystor - baзa (r1) | 1 kohms |
| Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) | 1 kohms |
| DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | 33 @ 50ma, 5 В |
| Vce saturation (max) @ ib, ic | 300 мВ 2,5 май, 50 |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 500NA |
| Синла - МАКС | 250 м |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | SMT3; Мпп |
| Baзowый nomer prodikta | PDTB113 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.21.0095 |
| Станодар | 3000 |
Прев. SMT3; Мпп
