Diodes Incorporated DSS4160FDBQ-7 — Diodes Incorporated Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Incorporated DSS4160FDBQ-7

Транзистор SS Low Sat U-DFN2020-

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Incorporated DSS4160FDBQ-7
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 1161
  • Артикул: DSS4160FDBQ-7
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,5900

Дополнительная цена:$0,5900

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора 2 НПН (двойной)
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 60В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 240 мВ при 50 мА, 1 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 290 при 100 мА, 2 В
Мощность - Макс. 405 МВт
Частота – переход 175 МГц
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 6-УДФН Открытая площадка
Поставщик пакета оборудования U-DFN2020-6 (Тип Б)
Базовый номер продукта ДСС4160
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0075
Другие имена 31-DSS4160FDBQ-7
Стандартный пакет 3000
Биполярная (BJT) транзисторная матрица 2 NPN (двойной), 60 В, 1 А, 175 МГц, 405 мВт, для поверхностного монтажа U-DFN2020-6 (Тип B)