Диоды Инкорейтед DXTN3C100PDQ-13
Транзистор SS Low Sat PowerDI506
- Производитель: Диодс Инкорпорейтед
- Номер производителя: Диоды Инкорейтед DXTN3C100PDQ-13
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 5531
- Артикул: DXTN3C100PDQ-13
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Диодс Инкорпорейтед |
| Ряд | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | 2 НПН (двойной) |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 3А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 100 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 330 мВ при 300 мА, 3 А |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100нА |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 150 при 500 мА, 10 В |
| Мощность - Макс. | 1,47 Вт |
| Частота – переход | 130 МГц |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 8-PowerTDFN |
| Поставщик пакета оборудования | PowerDI5060-8 (тип UXD) |
| Базовый номер продукта | DXTN3C100 |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0075 |
| Другие имена | 31-DXTN3C100PDQ-13 |
| Стандартный пакет | 2500 |
Биполярная (BJT) транзисторная матрица 2 NPN (двойной), 100 В, 3 А, 130 МГц, 1,47 Вт, для поверхностного монтажа PowerDI5060-8 (тип UXD)