| Параметры |
| Производитель | Диодс Инкорпорейтед |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 4 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 100 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 260 мВ при 400 мА, 4 А |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100 нА |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 180 при 500 мА, 2 В |
| Мощность - Макс. | 690 мВт |
| Частота – переход | 150 МГц |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 3-УДФН Открытая площадка |
| Поставщик пакета оборудования | U-DFN2020-3 (Тип Б) |
| Базовый номер продукта | DXTN58100 |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0075 |
| Другие имена | 31-DXTN58100CFDB-7-50 |
| Стандартный пакет | 3000 |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 100 В 4 А 150 МГц 690 мВт для поверхностного монтажа U-DFN2020-3 (Тип Б)