Diodes Incorporated MMDT5451Q-7 — Diodes Incorporated Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед MMDT5451Q-7

СС ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ТРАНСИСТОР SOT363

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед MMDT5451Q-7
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8880
  • Артикул: ММДТ5451Q-7
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4100

Дополнительная цена:$0,4100

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН, ПНП
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 200 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 160В, 150В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 200 мВ при 5 мА, 50 мА / 500 мВ при 5 мА, 50 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 50нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 80 при 10 мА, 5 В / 60 при 10 мА, 5 В
Мощность - Макс. 200мВт
Частота – переход 300 МГц
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363
Поставщик пакета оборудования СОТ-363
Базовый номер продукта ММДТ5451
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Стандартный пакет 3000
Биполярная (BJT) транзисторная матрица NPN, PNP 160 В, 150 В 200 мА 300 МГц 200 мВт Для поверхностного монтажа SOT-363