| Параметры |
| Производитель | Диотек Полупроводник |
| Ряд | - |
| Упаковка | Полоска |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 60В |
| Резистор — база (R1) | 2,2 кОм |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 47 кОм |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 70 при 5 мА, 5 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100нА (ИКБО) |
| Частота – переход | 170 МГц |
| Мощность - Макс. | 250 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 6-ВССОП, СК-88, СОТ-363 |
| Поставщик пакета оборудования | СОТ-363 |
| Базовый номер продукта | BCR08 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Другие имена | 2721-BCR08PN |
| Стандартный пакет | 30 |
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 1 NPN, 1 PNP — с предварительным смещением (двойной) 60 В, 100 мА, 170 МГц, 250 мВт, для поверхностного монтажа SOT-363