NXP USA Inc. PBRN113ES,126 - NXP USA Inc. Биполярный (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. PBRN113ES,126

ТРАНС ПРЕБИАС NPN 0.7W ТО92-3

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. PBRN113ES,126
  • Упаковка: Лента и коробка (ТБ)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8257
  • Артикул: ПБРН113ЕС,126
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд -
Упаковка Лента и коробка (ТБ)
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора NPN — предварительный смещенный
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 800 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 40 В
Резистор — база (R1) 1 кОм
Резистор — база эмиттера (R2) 1 кОм
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 180 при 300 мА, 5 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1,15 В @ 8 мА, 800 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 500нА
Мощность - Макс. 700 мВт
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения
Поставщик пакета оборудования ТО-92-3
Базовый номер продукта ПБРН113
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 2000 г.
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN — с предварительным смещением, 40 В, 800 мА, 700 мВт, сквозное отверстие ТО-92-3