Rohm Semiconductor DTC123YU3T106 — Rohm Semiconductor Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ром Полупроводник DTC123YU3T106

DTC123YU3T106

  • Производитель: Ром Полупроводник
  • Номер производителя: Ром Полупроводник DTC123YU3T106
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6
  • Артикул: DTC123YU3T106
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,2000

Дополнительная цена:$0,2000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ром Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип транзистора NPN — предварительный смещенный
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 В
Резистор — база (R1) 2,2 кОм
Резистор — база эмиттера (R2) 10 кОм
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 33 @ 10 мА, 5 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) -
Частота – переход 250 МГц
Мощность - Макс. 200 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СК-70, СОТ-323
Поставщик пакета оборудования УМТ3
Базовый номер продукта DTC123
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Стандартный пакет 3000
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN — с предварительным смещением 50 В, 100 мА, 250 МГц, 200 мВт, для поверхностного монтажа UMT3