Технология микрочипа JANTXV2N3506AU4 — биполярная технология микрочипа (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Микрочиповая технология JANTXV2N3506AU4

JANTXV2N3506AU4

  • Производитель: Микрочиповая технология
  • Номер производителя: Микрочиповая технология JANTXV2N3506AU4
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 6499
  • Артикул: JANTXV2N3506AU4
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Микрочиповая технология
Ряд Военный, MIL-PRF-19500/349
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 1 мкА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 40 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1,5 В @ 250 мА, 2,5 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 1 мкА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 50 на 500 мА, 1 В
Мощность - Макс. 1 Вт
Частота – переход -
Рабочая температура -65°С ~ 200°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 3-СМД, без свинца
Поставщик пакета оборудования U4
Статус RoHS не соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
Биполярный (BJT) транзистор NPN 40 В 1 мкА 1 Вт Для поверхностного монтажа U4