onsemi NSM80100MT1G — onsemi Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми NSM80100MT1G

НСМ80100MT1G

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми NSM80100MT1G
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2
  • Артикул: НСМ80100MT1G
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4300

Дополнительная цена:$0,4300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип транзистора ПНП
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 500 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 80 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 250 мВ при 10 мА, 100 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 120 при 10 мА, 1 В
Мощность - Макс. 270 мВт
Частота – переход 150 МГц
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СК-74, СОТ-457
Поставщик пакета оборудования СК-74
Базовый номер продукта НСМ80100
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Стандартный пакет 3000
Биполярный (BJT) транзистор PNP 80 В 500 мА 150 МГц 270 мВт Для поверхностного монтажа SC-74