| Парметр | |
|---|---|
| Млн | OnSemi |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Управо |
| Это | Npn |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 10 В |
| ASTOTA - PRERESHOD | 8 Гер |
| ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F) | 1,4 дБ @ 1,5 -ggц |
| Прирост | 10 дБ @ 1,5 -е. |
| Синла - МАКС | 150 м |
| DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | 0,95 @ 10ma, 5в |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 30 май |
| Rraboч -yemperatura | 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 6-tssop, SC-88, SOT-363 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 6-MCP |
| Baзowый nomer prodikta | FH105 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.21.0075 |
| Станодар | 3000 |
RF Transistor NPN 10 В 30 май.
