онсеми 2SD1816T-H
2SD1816T-H
- Производитель: онсеми
- Номер производителя: онсеми 2SD1816T-H
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 2162
- Артикул: 2SD1816T-H
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | онсеми |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип транзистора | НПН |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 4 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 100 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 400 мВ при 200 мА, 2 А |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 1 мкА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 200 при 500 мА, 5 В |
| Мощность - Макс. | 1 Вт |
| Частота – переход | 180 МГц |
| Рабочая температура | 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА |
| Поставщик пакета оборудования | ТП |
| Базовый номер продукта | 2SD1816 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0075 |
| Стандартный пакет | 500 |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 100 В 4 А 180 МГц 1 Вт сквозное отверстие TP
