onsemi 2SC3332T — onsemi Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми 2SC3332T

2SC3332T

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми 2SC3332T
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4208
  • Артикул: 2SC3332T
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 700 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 160 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 400 мВ при 25 мА, 250 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 200 при 100 мА, 5 В
Мощность - Макс. 700 мВт
Частота – переход 120 МГц
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА)
Поставщик пакета оборудования 3-НП
Базовый номер продукта 2SC3332
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Стандартный пакет 500
Биполярный (BJT) транзистор NPN 160 В 700 мА 120 МГц 700 мВт Сквозное отверстие 3-NP