onsemi 2SB1215T-E - onsemi Bipolar (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми 2SB1215T-E

2SB1215T-E

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми 2SB1215T-E
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1446
  • Артикул: 2SB1215T-E
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
ХТСУС 8541.29.0075
Стандартный пакет 500
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора ПНП
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 3 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 100 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 500 мВ при 150 мА, 1,5 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 1 мкА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 200 при 500 мА, 5 В
Мощность - Макс. 1 Вт
Частота – переход 130 МГц
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА
Поставщик пакета оборудования ТП
Базовый номер продукта 2СБ1215
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
Биполярный (BJT) транзистор PNP 100 В 3 А 130 МГц 1 Вт сквозное отверстие TP