| Парметр | |
|---|---|
| Млн | OnSemi |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Управо |
| Это | Npn |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 10 В |
| ASTOTA - PRERESHOD | 8 Гер |
| ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F) | 1,4 деб ~ 0,9 дбри При 1,5 Гер |
| Прирост | 10 дБ ~ 5,5 дбри При 1,5 Гер |
| Синла - МАКС | 100 м |
| DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | 90 @ 10ma, 5в |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 30 май |
| Rraboч -yemperatura | 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | SC-81 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 3-SSFP |
| Baзowый nomer prodikta | 2SC5490 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.21.0075 |
| Станодадж | 8000 |
RF Transistor NPN 10V 30 MMA 8 -ggц 100 мст
